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近日，哈尔滨工业大学朱嘉琦教授团队在金刚石半导体器件领域又取得新进展。该团队在IIa级金刚石表面制备了酮基氧终端，通过X射线光电子能谱分析研究了氧终端在金刚石禁带能级中引入的受体表面态以及其对肖特基接触势垒的影响，验证了在不同金属接触下氧终端对表面势垒的钉扎效应。此外，该团队研究发现氢化和抛光处理可以改变钉扎位置，钉扎位置也可通过再次氧化处理而恢复。相关研究成果以“Surface potential pinning study for oxygen terminated IIa diamond”为题，发表在Carbon期刊上。该研究结果将有助于金刚石肖特基器件的设计和理论分析。另外，该团队发现紫外光可以调控氧终端钉扎肖特基势垒，并将该技术应用于日盲紫外探测器，发展出了光调控肖特基势垒探测器。实现了“无光时候的高肖特基势垒保障低暗电流，光照时候的光调控肖特基势垒降低提升光探测性能”效果。220nm波长紫外光探测响应度比常规传统金刚石肖特基探测器提升了128%，成果发表在Applied Physics Letters期刊，并被选为“Featured Article”报道。
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